先进电子材料研究所
单位简介
先进电子材料研究所成立于2006年,主要针对未来集成电路及核心电子元器件(固态电子器件、电真空器件、介电储能器件等)高集成度、高功率密度、高可靠性和长寿命发展需求,开展微纳电子配套材料、介电材料、金属功能复合材料、微波材料及相关技术研究工作。
 
研究领域
1、微纳电子材料
微纳电子材料研究室重点围绕微纳电子技术发展前沿所急需的关键功能薄膜材料以及功能纳米颗粒和纳米线的制备技术、物理性能、可靠性以及器件相容性等基础性研究而设立。针对32nm节点以下集成电路发展需求,开展高K栅介质材料、新型互连线材料及相关物理气相沉积制备技术研究。微纳电子材料实验室已建成具有较高水平的局部千级超净实验室,已建成微纳电子材料材料制备加工设备包括激光分子束外延(LMBE)、激光脉冲沉积(PLD)、多靶源磁控溅射、光刻机、快速退火炉、离子减薄仪、薄膜电性能测试平台等,各项设施在国内具有较高的水平。
2、高储能密度介电复合材料
在高储能密度介电材料领域,研究的材料体系主要有玻璃-陶瓷纳米复相介电材料、烧结铁电陶瓷、聚合物薄膜材料、陶瓷/聚合物复合材料及其制备技术。储能材料制备及测试方面的设备有高温熔炼炉、高温烧结炉、陶瓷切片机、抛光机、镀膜机、30kV高压击穿设备、铁电测试仪、Agilent4284A、差热分析仪等。
3、吸气材料
北京有色金属研究总院从上世纪70年代开始从事非蒸散型吸气材料及元件的研究,开展了特种及民用电真空器件发展所急需的新型吸气材料的成份设计、制备工艺技术、吸气性能、抗振动冲击性能、可靠性以及器件相容性等应用基础性研究,开发出一系列具有自主知识产权的高性能锆基、钛基吸气材料体系。在国内非蒸散型吸气材料领域处于领先水平,具备雄厚的科研实力。
设计开发的具有不同激活温度(200℃~900)、不同工作温度(室温~400)、不同机械强度的吸气材料分别在各种类型的中子管、行波管、速调管、陀螺仪、激光管、触发管、X光管、灯具、真空隔热板、保温杯等众多领域中得到了广泛应用。
4、第三代半导体材料
针对高功率固态电子器件发展需求,开展具有宽带隙、高导热率的第三代半导体材料SiC单晶及其物理蒸汽转移单晶生长技术、AlN微波基片材料及其表面金属化技术研究。4目前该实验室拥有一套自主建立的可以满足3英寸SiC单晶生长的PVT单晶生长系统和配套的试验设备。目前正致力于高绝缘、低缺陷、低成本的SiC单晶的研究工作。
 
 
产品信息
1、高牢固度锆基吸气剂(链接到产品)
2、高压陶瓷电容器实验样品
 
联系方式
通信地址:北京市新街口外大街2号先进电子材料研究所
邮政编码:100088
联系人:苑鹏
电话:(010)82241247
电子邮箱:yuanpeng@grinm.com