院士专家
王淀佐
王淀佐,1934年出生,矿物加工与冶金专家。中国科学院院士、中国工程院院士、美国工程院外籍院士、俄罗斯科学院外籍院士。曾任中南工业大学校长,北京有色金属研究总院院长、中国工程院副院长。现任北京有色金属研究总院名誉院长,中国工程院主席团成员。多年从事科研、教学和管理工作。主要研究方向有:矿物与材料加工药剂的分子设计和应用表面化学、矿物与材料加工过程溶液化学、矿物浮选电化学和硫化矿电位调控浮选技术、有色金属矿生物湿法冶金、铝土矿的浮选脱硅和有效利用、固体颗粒的相互作用和细粒技术等,在矿物浮选和浮选化学、浮选药剂研究中有系统的创新性成果。获得国家级、省部级科研成果奖励10余项,发表论文300余篇,出版著作9部。
李东英
李东英,1920年出生,稀有金属冶金及材料专家。中国工程院院士。我国稀有金属工业创始人之一。主持研究成功30余种稀有金属的生产方法,保证“两弹一星”等军工和大规模集成电路等尖端技术所急需的新材料;主持钛应用推广工作,经济效益显著;长期从事稀土开发和应用的科技工作;率先提出并组织实施稀土微量元素用于农业生产实际的科学研究和应用推广,“国家十二个重要领域技术政策的研究”、“1986~2000年全国科技长远规划前期研究”分别获1987年、1989年国家科学技术进步奖一等奖,主编大型丛书《有色金属进展》40卷。
屠海令
屠海令,1946年出生,半导体材料专家。中国工程院院士。曾任北京有色金属研究总院院长,现任北京有色金属研究总院名誉院长、中国工程院化工、冶金与材料工程学部副主任、中国有色金属工业协会副会长、中国材料研究学会副理事长、中国有色金属学会副理事长、中国半导体协会副理事长、中国稀土学会副理事长、国家自然科学基金委员会委员、973材料领域咨询专家。长期从事硅、化合物半导体、稀土半导体晶体生长,硅基半导体材料制备,半导体材料与器件性能关系,纳米半导体材料和高k材料等方面的研究,是我国半导体材料研究领域的知名专家、学术带头人。领导并参加多项半导体材料国家工程及专项项目,形成了一系列具有自主知识产权的工程技术和规模化的生产能力。参加国家中长期科技发展规划的战略研究。获国家级、省部级科技进步奖14项,获授权专利25项。发表论文200余篇,出版著作9部。
张国成
张国成,1931年出生,稀土金属冶炼分离专家。中国工程院院士。长期从事各种稀土精矿冶炼和单一稀土元素分离的研究。研究成功氧化焙烧-催化浸出法冶炼氟碳铈矿新工艺并广泛推广;发明了硫酸强化焙烧萃取法冶炼混合型稀土精矿的新流程;研究成功用P204萃取剂从硫酸稀土溶液中萃取分离稀土元素新工艺;发明了用碱度法生产荧光级氧化铕、用P204萃取法生产氧化钕和用电化学法氧化还原铈和铕离子等项新技术。先后获国家科技进步二等奖两项、发明奖一项,发表学术论文30余篇。